FF800R12KE3NOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE VCES 1200V 800A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 36 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 130
Operating Temperature -40°C~125°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X10
Configuration Single
Power Dissipation 3.9kW
Power - Max 3900W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.7V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 800A
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 10
Terminal Position UPPER
Pin Count 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Case Connection ISOLATED
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 1.2kA
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Current - Collector (Ic) (Max) 1200A
Turn On Time 880 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1140 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 57nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
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