FP15R12W1T4B3BOMA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 28A 130W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 20
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 20
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 120 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 495 ns
NTC Thermistor Yes
REACH SVHC Unknown
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 130W
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 130W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 28A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 15A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 890pF @ 25V
RoHS Status RoHS Compliant
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