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FP75R12KE3BOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 105A 355W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 35
Max Power Dissipation 350W
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X35
Polarity NPN
Power Dissipation 350W
Power - Max 355W
Input Standard
Max Collector Current 105A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 2.15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A
IGBT Type NPT
Input Capacitance (Cies) @ Vce 5.3nF @ 25V
Length 122mm
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 24
Operating Temperature -40°C~125°C TJ
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Pin Count 35
Number of Elements 7
Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Forward Current 75A
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 330 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 610 ns
NTC Thermistor No
Height 17mm
Width 62mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FP75R06KE3 Infineon IGBT-Module 2821
FP75R06KE3BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2503
FP75R06KE3BOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
FP75R06KE3_B13ENG IGBT Module IGBT-Module 2702
FP75R07N2E4 IGBT Module IGBT-Module 2505
FP75R07N2E4 Infineon IGBT-Module
FP75R07N2E4B11BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2512
FP75R07N2E4B11BOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
FP75R07N2E4B11BOSA1 Rochester Electronics, LLC IGBT-Module
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