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FP75R12KT4B16BOSA1 Technische Spezifikationen

MOD IGBT LOW PWR ECONO3-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case Module
Part Status Active
Configuration Three Phase Inverter
Input Three Phase Bridge Rectifier
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 75A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~150°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 385W
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 150A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 4.3nF @ 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FP75R12KT4B16BOSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, FP75R12KT4B16BOSA1 Referenzpreis. FP75R12KT4B16BOSA1 Parameter, FP75R12KT4B16BOSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FP75R12KT4B16BOSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FP75R12KT4B16BOSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FP75R12KT4B16BOSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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