FS25R12W1T4BOMA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 45A 205W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 23
Max Power Dissipation 205W
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X23
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Max Collector Current 45A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.85V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 25A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.45nF @ 25V
Length 62.8mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 18
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 23
Qualification Status Not Qualified
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 205W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 80 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 505 ns
NTC Thermistor Yes
Height 12mm
Width 33.8mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FS25R06KF EUPEC IGBT-Module 2538
FS25R06KF2 IGBT Module IGBT-Module 2548
FS25R10KF2 EUPEC IGBT-Module 2724
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