FS35R12W1T4B11BOMA1 Technische Spezifikationen

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 65A 18-pin EASY1B-2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Part Status Active
Number of Terminations 18
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Current - Collector (Ic) (Max) 65A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 35A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X18
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 225W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 57 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 520 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FS35R12KE3 IGBT Module IGBT-Module 2771
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