FS50R12KT4B15BOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 50A 280W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 28
Operating Temperature -40°C~150°C
Series EconoPACK™2
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Max Collector Current 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 28
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration Three Phase Inverter
Power - Max 280W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Turn On Time 185 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 490 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
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