FS50R12W2T7B11BOMA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 50A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C~175°C
Part Status Active
Configuration Full Bridge
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 50A (Typ)
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Series EasyPACK™
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Power - Max 20mW
Current - Collector Cutoff (Max) 7.9μA
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11.1nF @ 25V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FS50R05WE3 EUPEC IGBT-Module 2944
FS50R06KE3 IGBT Module IGBT-Module 2367
FS50R06KE3BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Module 2752
FS50R06KE3BOSA1 Infineon Technologies IGBT-Module
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