FZ1200R17HE4HOSA2 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1700V 1200A 7800W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 50 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 7
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Form UNSPECIFIED
Configuration Single Switch
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Max Collector Current 1.2kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 955 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1760 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 97nF @ 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 7800W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1200A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1200A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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