FZ750R65KE3NOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 6500V 750A A-IHV190-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 9
Operating Temperature -50°C~125°C
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position UPPER
Pin Count 9
Configuration Single
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 6.5kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Turn On Time 1200 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 8100 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 205nF @ 25V
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 9
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 3
Power - Max 14500W
Halogen Free Not Halogen Free
Input Standard
Max Collector Current 750A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6500V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 750A
NTC Thermistor No
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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