FZ800R12KE3HOSA1 Technische Spezifikationen

IGBT MOD 1200V 800A 3550W

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -40°C~125°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Max Collector Current 800A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 800A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 56nF @ 25V
Length 106.4mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Screw
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Position UPPER
Pin Count 5
Configuration Single
Power - Max 3550W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Turn On Time 440 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 1000 ns
NTC Thermistor No
Height 36.5mm
Width 61.4mm
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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