IDB12E120ATMA1 Technische Spezifikationen

IDB12E120ATMA1 datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einphasen-Diodengleichrichter
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Diode Type Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.15V @ 12A
Halogen Free Halogen Free
Current - Average Rectified (Io) 28A DC
Max Reverse Voltage (DC) 1.2kV
Number of Phases 1
Peak Non-Repetitive Surge Current 63A
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Diode Element Material SILICON
Published 2005
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.10.00.80
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 96W
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100μA @ 1200V
Operating Temperature - Junction -55°C~150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Forward Voltage 2.15V
Average Rectified Current 28A
Reverse Recovery Time 150 ns
RoHS Status RoHS Compliant
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IDB12E120 INF Spezialisierte heiße ICs 870
IDB12E120ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2604

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