IDB18E120ATMA1 Technische Spezifikationen

IDB18E120ATMA1 datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einphasen-Diodengleichrichter
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100μA @ 1200V
Operating Temperature - Junction -55°C~150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Number of Phases 1
Rep Pk Reverse Voltage-Max 1200V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Diode Element Material SILICON
Published 2005
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 113W
Diode Type Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.15V @ 18A
Output Current-Max 31A
Current - Average Rectified (Io) 31A DC
Reverse Recovery Time 195ns
Non-rep Pk Forward Current-Max 78A
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IDB18E120 INF Spezialisierte heiße ICs 12850
IDB18E120ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2544

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