IGC27T120T8LX1SA2 Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 25A DIE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case Die
Transistor Element Material SILICON
Packaging Bulk
Series TrenchStop™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Dual Supply Voltage 1.2kV
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.07V @ 15V, 25A
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2015
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-XUUC-N2
Configuration SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL
Drain to Source Voltage (Vdss) 1.2kV
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
IGBT Type Trench Field Stop
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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