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IGT60R070D1ATMA1 Technische Spezifikationen

IGT60R070D1ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 8-PowerSFN
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Technology GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 400V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series CoolGaN™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power Dissipation-Max 125W Tc
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 2.6mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A Tc
Vgs (Max) -10V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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IGT60R070D1ATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IGT60R070D1ATMA1 Referenzpreis. IGT60R070D1ATMA1 Parameter, IGT60R070D1ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IGT60R070D1ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IGT60R070D1ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IGT60R070D1ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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