IGW15T120FKSA1 Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 30A 110W TO247-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 110W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 15A
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Switching Energy 2.7mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
JEDEC-95 Code TO-247AD
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Test Condition 600V, 15A, 56 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 720 ns
Gate Charge 85nC
Td (on/off) @ 25°C 50ns/520ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IGW15H120H3 G15H1203 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 721
IGW15N120H3 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 5673
IGW15N120H3FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2789
IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IGW15T120 IGBT Module IGBT-Module 1458
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