IHW20N135R5XKSA1 Technische Spezifikationen

Trans IGBT Chip N-CH 1.35KV 40A 3-Pin TO-247 Tube

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 20A
Gate Charge 170nC
Td (on/off) @ 25°C -/235ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 288W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 288W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.35kV
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.35kV
Test Condition 600V, 20A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 450 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Switching Energy 950μJ (off)
Lead Free Lead Free
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