IKD06N60RAATMA1 Technische Spezifikationen

IKD06N60RAATMA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series TrenchStop™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 100W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 12A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 18A
Switching Energy 110μJ (on), 220μJ (off)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 100W
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application GENERAL PURPOSE
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.1V
Reverse Recovery Time 68 ns
Max Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 6A, 23 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 335 ns
Gate Charge 48nC
Td (on/off) @ 25°C 12ns/127ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IKD06N60R International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 1317
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