IKD15N60RFAATMA1 Technische Spezifikationen

IKD15N60RFAATMA1 datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 15A, 15 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 193 ns
Gate Charge 90nC
Td (on/off) @ 25°C 13ns/160ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 240W
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 240W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 74 ns
Turn On Time 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Switching Energy 270μJ (on), 250μJ (off)
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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