IKW40N65WR5XKSA1 Technische Spezifikationen

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Max Power Dissipation 230W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Power - Max 230W
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 112 ns
Turn On Time 63 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 770μJ (on), 160μJ (off)
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 20A, 20 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 510 ns
Gate Charge 193nC
Td (on/off) @ 25°C 42ns/432ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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