IKW50N60TAFKSA1 Technische Spezifikationen

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin TO-247 Tube

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Reference Standard AEC-Q101
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 143ns
Test Condition 400V, 50A, 7 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 396 ns
Gate Charge 310nC
Td (on/off) @ 25°C 26ns/299ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series TrenchStop®
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 333W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
Turn On Time 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
Switching Energy 2.6mJ
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