IPA60R650CEXKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™ CE
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650m Ω @ 2.4A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Tc
Rise Time 8ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 58 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Max Dual Supply Voltage 600V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.299997g
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 28W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 200μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.65Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPA6041GTRPBF IR Spezialisierte heiße ICs 6734
IPA60R060C7XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2727
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