IPA65R420CFDXKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 31.2W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 340μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8.7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 27A
Avalanche Energy Rating (Eas) 227 mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420m Ω @ 3.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.42Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 650V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPA65DE310CFD Infenon Spezialisierte heiße ICs 551
IPA65R045C7 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 10
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