IPAW60R380CEXKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V TO220-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380m Ω @ 3.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 15A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Avalanche Energy Rating (Eas) 210 mJ
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 31W Tc
Case Connection ISOLATED
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 320μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Threshold Voltage 3V
DS Breakdown Voltage-Min 600V
FET Feature Super Junction
RoHS Status ROHS3 Compliant
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