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IPB020N10N5LFATMA1
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IPB020N10N5LFATMA1 Technische Spezifikationen
IPB020N10N5LFATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 313W Tc |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Turn-Off Delay Time | 128 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 4.7mm |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™-5 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Number of Channels | 1 |
Power Dissipation | 313W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 270μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 29A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Drain to Source Resistance | 1.8mOhm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPB020N10N5LFATMA1 Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IPB02" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IPB02'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPB020N04N | INFINEON | Spezialisierte heiße ICs | 2768 |
IPB020N04N G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3199 |
IPB020N04NG | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 5131 |
IPB020N04NGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2560 |
IPB020N04NGATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPB020N08N5 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 16982 |
IPB020N08N5 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 975 |
IPB020N08N5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2521 |
IPB020N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPB020N10N5 | INFINE0 | Spezialisierte heiße ICs | 15124 |
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IPB020N10N5LFATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB020N10N5LFATMA1 Referenzpreis. IPB020N10N5LFATMA1 Parameter, IPB020N10N5LFATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB020N10N5LFATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB020N10N5LFATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB020N10N5LFATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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