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IPB160N04S2L03ATMA2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH TO262-7

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Discontinued
Number of Terminations 6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 160A
Max Dual Supply Voltage 40V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 640A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature ULTRA-LOW RESISTANCE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 300W Tc
Power Dissipation 300W
Turn On Delay Time 20 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7m Ω @ 80A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A Tc
Rise Time 51ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 810 mJ
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPB160N04S2-03 Original Spezialisierte heiße ICs 644
IPB160N04S2-03(P2N0403) INFINEO Spezialisierte heiße ICs 2760
IPB160N04S203ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2633
IPB160N04S203ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB160N04S203ATMA4 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2783
IPB160N04S203ATMA4 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB160N04S2L-03 Original Spezialisierte heiße ICs 397
IPB160N04S2L03ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2521
IPB160N04S2L03ATMA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2570
IPB160N04S3-H2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1838

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IPB160N04S2L03ATMA2 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB160N04S2L03ATMA2 Referenzpreis. IPB160N04S2L03ATMA2 Parameter, IPB160N04S2L03ATMA2 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB160N04S2L03ATMA2 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB160N04S2L03ATMA2 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB160N04S2L03ATMA2 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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