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IPB180P04P4L02ATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET P-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A Tc
Rise Time 28ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 119 ns
Continuous Drain Current (ID) 180A
Max Dual Supply Voltage -40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 84 mJ
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 32 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 410μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 286nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 146 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Drain-source On Resistance-Max 0.0039Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPB180N03S4L-01 INFINEON Spezialisierte heiße ICs 1393
IPB180N03S4L-01 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2019
IPB180N03S4L-H0 INFINEO Spezialisierte heiße ICs 5417
IPB180N03S4L-H0 (4N03LH INFINEO Spezialisierte heiße ICs 2523
IPB180N03S4L-H0 (4N03LH0) INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2587
IPB180N03S4L-H0(4N03LH0) International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 584
IPB180N03S4L01ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2583
IPB180N03S4L01ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB180N03S4LH0ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2779
IPB180N03S4LH0ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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IPB180P04P4L02ATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB180P04P4L02ATMA1 Referenzpreis. IPB180P04P4L02ATMA1 Parameter, IPB180P04P4L02ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB180P04P4L02ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB180P04P4L02ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB180P04P4L02ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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