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IPB60R060C7ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V TO263-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ C7
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 162W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 800μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Vgs (Max) ±20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 35A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 135A
Avalanche Energy Rating (Eas) 159 mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Position SINGLE
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 15.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2850pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
JEDEC-95 Code TO-263AB
Drain-source On Resistance-Max 0.06Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPB600N25N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23218
IPB600N25N3G INFINOE Spezialisierte heiße ICs 8926
IPB600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 493
IPB600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2621
IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB60R040C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2558
IPB60R040C7ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB60R045P7 INEONI Spezialisierte heiße ICs 12763
IPB60R060C7 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 12825
IPB60R060C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2775

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IPB60R060C7ATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB60R060C7ATMA1 Referenzpreis. IPB60R060C7ATMA1 Parameter, IPB60R060C7ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB60R060C7ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB60R060C7ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB60R060C7ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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