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IPB60R099CPAATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105m Ω @ 18A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A Tc
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 31A
Max Dual Supply Voltage 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 255W Tc
Power Dissipation 255W
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 800 mJ
Lead Free Contains Lead
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IPB600N25N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23218
IPB600N25N3G INFINOE Spezialisierte heiße ICs 8926
IPB600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 493
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IPB60R040C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2558
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IPB60R045P7 INEONI Spezialisierte heiße ICs 12763
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IPB60R060C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2775

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