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IPB60R099CPATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 650V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 255W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.099Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 600V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99m Ω @ 18A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2800pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 31A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 93A
Avalanche Energy Rating (Eas) 800 mJ
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IPB600N25N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23218
IPB600N25N3G INFINOE Spezialisierte heiße ICs 8926
IPB600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 493
IPB600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2621
IPB600N25N3GATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB60R040C7ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2558
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IPB60R045P7 INEONI Spezialisierte heiße ICs 12763
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IPB60R099CPATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB60R099CPATMA1 Referenzpreis. IPB60R099CPATMA1 Parameter, IPB60R099CPATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB60R099CPATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB60R099CPATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB60R099CPATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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