IPB60R280C6ATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280m Ω @ 6.5A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.8A Tc
Rise Time 11ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.28Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 284 mJ
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 104W Tc
Power Dissipation 104W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 430μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 13.8A
Max Dual Supply Voltage 600V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 40A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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