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IPB60R385CPATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 9A TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Pin Count 4
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385m Ω @ 5.2A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Tc
Rise Time 5ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 3 V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 83W Tc
Power Dissipation 83W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 340μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Threshold Voltage 3V
Drain to Source Breakdown Voltage 650V
REACH SVHC No SVHC
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPB600N25N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 23218
IPB600N25N3G INFINOE Spezialisierte heiße ICs 8926
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IPB60R385CPATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB60R385CPATMA1 Referenzpreis. IPB60R385CPATMA1 Parameter, IPB60R385CPATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB60R385CPATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB60R385CPATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB60R385CPATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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