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IPB70N10SL16ATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series SIPMOS®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 70 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16m Ω @ 50A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 95 ns
Continuous Drain Current (ID) 70A
Max Dual Supply Voltage 100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 250W Tc
Power Dissipation 250W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4540pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 250 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.025Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 700 mJ
Lead Free Contains Lead
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IPB70N04S3-07 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 74193
IPB70N04S3-07 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB70N04S4-06 I Spezialisierte heiße ICs 33829
IPB70N04S4-06 4N0406 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 948
IPB70N04S406ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2779
IPB70N04S406ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPB70N10S2L-16 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 58693
IPB70N10S3-12 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3975
IPB70N10S3-12(3N1012) INFINEO Spezialisierte heiße ICs 2590
IPB70N10S312ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2561

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IPB70N10SL16ATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB70N10SL16ATMA1 Referenzpreis. IPB70N10SL16ATMA1 Parameter, IPB70N10SL16ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB70N10SL16ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB70N10SL16ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB70N10SL16ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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