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IPB70N12S311ATMA1
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IPB70N12S311ATMA1 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CHANNEL_100+
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2016 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Operating Temperature (Min) | -55°C |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Case Connection | DRAIN |
JEDEC-95 Code | TO-263AB |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0113Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 120V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 70A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 280A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 410 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPB70N12S311ATMA1 Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IPB70" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IPB70'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPB70N04S3-07 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 74193 |
IPB70N04S3-07 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPB70N04S4-06 | I | Spezialisierte heiße ICs | 33829 |
IPB70N04S4-06 4N0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 948 |
IPB70N04S406ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2779 |
IPB70N04S406ATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPB70N10S2L-16 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 58693 |
IPB70N10S3-12 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3975 |
IPB70N10S3-12(3N1012) | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 2590 |
IPB70N10S312ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2561 |
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IPB70N12S311ATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB70N12S311ATMA1 Referenzpreis. IPB70N12S311ATMA1 Parameter, IPB70N12S311ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB70N12S311ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB70N12S311ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB70N12S311ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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