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IPB80N06S207ATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Power Dissipation-Max 250W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3m Ω @ 68A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A Tc
Rise Time 37ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 61 ns
Max Dual Supply Voltage 55V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 180μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 36 ns
Continuous Drain Current (ID) 80A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPB80CN10NG INEONI Spezialisierte heiße ICs 12872
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IPB80N06S207ATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPB80N06S207ATMA1 Referenzpreis. IPB80N06S207ATMA1 Parameter, IPB80N06S207ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPB80N06S207ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPB80N06S207ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPB80N06S207ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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