IPD031N06L3GATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1m Ω @ 100A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 78ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 64 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Max Dual Supply Voltage 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 167W Tc
Power Dissipation 167W
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 93μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 79nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Lead Free Contains Lead
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IPD030N03L International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 588
IPD031N03L INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2646
IPD031N03L G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 959
IPD031N03LG I Spezialisierte heiße ICs 24205
IPD031N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2788
IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPD031N03LGBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2521
IPD031N03M G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2511
IPD031N0623G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 6300
IPD031N06L 031N06L International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 1133

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