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IPD088N06N3GBTMA1
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IPD088N06N3GBTMA1 Technische Spezifikationen
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 71W Tc |
Power Dissipation | 71W |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 34μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 50A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Max Dual Supply Voltage | 60V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8m Ω @ 50A, 10V |
Halogen Free | Not Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A Tc |
Rise Time | 40ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0088Ohm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead |
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Datenblätter
Andere schließen ein "IPD08" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IPD08'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPD082N10N3 G | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 32753 |
IPD082N10N3G | infineon | Spezialisierte heiße ICs | 58780 |
IPD082N10N3G 082N10N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 3631 |
IPD082N10N3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 2706 |
IPD082N10N3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2418 |
IPD082N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPD082N10N3GBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2734 |
IPD088N04L G | INFINEON | Spezialisierte heiße ICs | 21373 |
IPD088N04LG | Infineo | Spezialisierte heiße ICs | 9659 |
IPD088N04LG MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 5602 |
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IPD088N06N3GBTMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPD088N06N3GBTMA1 Referenzpreis. IPD088N06N3GBTMA1 Parameter, IPD088N06N3GBTMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD088N06N3GBTMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD088N06N3GBTMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD088N06N3GBTMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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