IPD090N03LGATMA1 Technische Spezifikationen

N-channel MOSFET Transistor, 40 A, 30 V, 3-pin PG-TO-252-3-11

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 42W
Turn On Delay Time 4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A Tc
Rise Time 3ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 280A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 4
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 42W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 2.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 40A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 70 mJ
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPD090N03 inf Spezialisierte heiße ICs 16
IPD090N03L INFINEO Spezialisierte heiße ICs 8004
IPD090N03L G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 39393
IPD090N03L G IC International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 3144
IPD090N03L MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 30448
IPD090N03LA VB Spezialisierte heiße ICs 5000
IPD090N03LAG INFINEO Spezialisierte heiße ICs 11518
IPD090N03LG INFINEO Spezialisierte heiße ICs 23807
IPD090N03LG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 130171
IPD090N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2739

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