IPD135N08N3GATMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 79W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 33μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Max Dual Supply Voltage 80V
Drain-source On Resistance-Max 0.0135Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 50 mJ
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5m Ω @ 45A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 45A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 180A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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