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IPD30N06S4L23ATMA2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Rise Time 1ns
Vgs (Max) ±16V
Turn-Off Delay Time 15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 16V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 120A
Height 2.41mm
Width 6.22mm
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 36W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 10μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 30A
Max Dual Supply Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 18 mJ
Length 6.73mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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