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IPD33CN10NGATMA1
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IPD33CN10NGATMA1 Technische Spezifikationen
IPD33CN10NGATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33m Ω @ 27A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A Tc |
Rise Time | 21ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 17 ns |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 47 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 58W Tc |
Power Dissipation | 58W |
Turn On Delay Time | 11 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 29μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 27A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 108A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPD33CN10NGATMA1 Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IPD33CN10NGATMA1
-
Datenblätter
Andere schließen ein "IPD33" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IPD33'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPD33CN10N | I | Spezialisierte heiße ICs | 32363 |
IPD33CN10N G | infineon | Spezialisierte heiße ICs | 18981 |
IPD33CN10NG | I | Spezialisierte heiße ICs | 51531 |
IPD33CN10NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 20271 |
IPD33CN10NGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2815 |
IPD33CN10NGBUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2639 |
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IPD33CN10NGATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPD33CN10NGATMA1 Referenzpreis. IPD33CN10NGATMA1 Parameter, IPD33CN10NGATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD33CN10NGATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD33CN10NGATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD33CN10NGATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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