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IPD600N25N3GATMA1 Technische Spezifikationen

IPD600N25N3GATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60m Ω @ 25A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A Tc
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Continuous Drain Current (ID) 25A
Max Dual Supply Voltage 250V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 136W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2350pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.06Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 210 mJ
Lead Free Contains Lead
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IPD600N25N3 G INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2283
IPD600N25N3G INFINEO Spezialisierte heiße ICs 5277
IPD600N25N3G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2838
IPD600N25N3G(600N25N) INFINEON Spezialisierte heiße ICs 2603
IPD600N25N3GATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5358
IPD600N25N3GBTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2570
IPD60N10S4-12 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 2091
IPD60N10S412ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2571
IPD60N10S412ATMA1 Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IPD60N10S4L-12 INF Spezialisierte heiße ICs 11408

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IPD600N25N3GATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPD600N25N3GATMA1 Referenzpreis. IPD600N25N3GATMA1 Parameter, IPD600N25N3GATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD600N25N3GATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD600N25N3GATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD600N25N3GATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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