IPD65R250E6XTMA1 Technische Spezifikationen

Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ E6
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 400μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 76 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.25Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 46A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 208W Tc
Power Dissipation 208W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250m Ω @ 4.4A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.1A Tc
Rise Time 9ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 16.1A
Max Dual Supply Voltage 650V
Drain to Source Breakdown Voltage 700V
Avalanche Energy Rating (Eas) 290 mJ
Lead Free Lead Free
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