IPD70R1K4P7SAUMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Tape & Reel (TR)
Series CoolMOS™ P7
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Terminal Finish Tin (Sn)
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 40μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Vgs (Max) ±16V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 23W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 700mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 158pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IPD70N03S4L-04 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 56358
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