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IPD80R900P7ATMA1
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IPD80R900P7ATMA1 Technische Spezifikationen
Single N-Channel 800 V 900 mOhm 15 nC CoolMOS? Power Mosfet - DPAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | CoolMOS™ P7 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 45W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 110μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.9Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 800V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2014 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900m Ω @ 2.2A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 500V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 14A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 13 mJ |
IPD80R900P7ATMA1 Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IPD80" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IPD80'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPD800N06N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 5409 |
IPD800N06N G | infineon | Spezialisierte heiße ICs | 10433 |
IPD800N06N G MOS | VBSEMI | Spezialisierte heiße ICs | 10349 |
IPD800N06NG | INFINEO | Spezialisierte heiße ICs | 57724 |
IPD800N06NG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 2559 |
IPD800N06NGBTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2645 |
IPD800N06NGBTMA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPD80N04S3-06 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 55851 |
IPD80N04S3-06 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 14387 |
IPD80N04S3-06 QN0406 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 1672 |
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IPD80R900P7ATMA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPD80R900P7ATMA1 Referenzpreis. IPD80R900P7ATMA1 Parameter, IPD80R900P7ATMA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPD80R900P7ATMA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPD80R900P7ATMA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPD80R900P7ATMA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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