IPD90N04S402ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 23 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4m Ω @ 90A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 90A
Max Dual Supply Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 475 mJ
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 150W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 95μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 118nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0024Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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