IPD90P04P405ATMA1 Technische Spezifikationen

IPD90P04P405ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 3 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7m Ω @ 90A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A Tc
Rise Time 8ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 14 ns
Continuous Drain Current (ID) 90A
Max Dual Supply Voltage -40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 60 mJ
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series OptiMOS™
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 125W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 154nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0047Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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