IPG20N04S412ATMA1 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 8-PowerVDFN
Supplier Device Package PG-TDSON-8-4
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Element Configuration Dual
Turn On Delay Time 9 ns
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 15μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Turn-Off Delay Time 10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
FET Feature Standard
Rds On Max 12.2 mΩ
Length 5.15mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2010
Part Status Active
Max Operating Temperature 175°C
Max Power Dissipation 41W
Power Dissipation 41W
Power - Max 41W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 17A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A
Rise Time 2ns
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 20A
Max Dual Supply Voltage 40V
Input Capacitance 1.13nF
Drain to Source Resistance 12.2mOhm
Height 1mm
Width 6.15mm
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IPG20N040S4L-07 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 1388
IPG20N04OS4L-08 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 3272
IPG20N04S4-02 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 1290
IPG20N04S4-08 INFINEON Spezialisierte heiße ICs 22738
IPG20N04S4-08A INFINEO Spezialisierte heiße ICs 8966
IPG20N04S4-08B INFINEO Spezialisierte heiße ICs 2799
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IPG20N04S408AATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2607

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