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IPI086N10N3GXKSA1
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IPI086N10N3GXKSA1 Technische Spezifikationen
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-262
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 125W Tc |
Power Dissipation | 125W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6m Ω @ 73A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 42ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 31 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0086Ohm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | SINGLE |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 8 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 320A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IPI086N10N3GXKSA1 Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IPI08" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IPI08'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IPI084N06L3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 1127 |
IPI084N06L3GXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2537 |
IPI084N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IPI086N10N | International Rectifier (Infineon Technologies) | Spezialisierte heiße ICs | 50 |
IPI086N10N3 G | inf | Spezialisierte heiße ICs | 20 |
IPI086N10N3G | Original | Spezialisierte heiße ICs | 2482 |
IPI086N10N3GXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2576 |
IPI08CN10N | INFINEON | Spezialisierte heiße ICs | 2694 |
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IPI086N10N3GXKSA1 Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IPI086N10N3GXKSA1 Referenzpreis. IPI086N10N3GXKSA1 Parameter, IPI086N10N3GXKSA1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IPI086N10N3GXKSA1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IPI086N10N3GXKSA1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IPI086N10N3GXKSA1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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