IPI50R299CPXKSA1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 104W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299m Ω @ 6.6A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Tc
Rise Time 14ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Drain-source On Resistance-Max 0.299Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 26A
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series CoolMOS™
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 104W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 440μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1190pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 550V
Avalanche Energy Rating (Eas) 289 mJ
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IPI50CN10N G INFINEON Spezialisierte heiße ICs 17500
IPI50CN10NG INFINEON Spezialisierte heiße ICs 12272
IPI50CN10NGHKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2711
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